近日，荷兰光刻机巨头ASML公司宣布，优先向Intel公司交付其新型高数值孔径（High NA EUV）的极紫外光刻机。

据悉，每台新机器的成本超过3亿美元，可帮助计算机芯片制造商生产更小、更快的半导体。

ASML官方社交媒体账号发布了一张现场照片。从图中可以看到，光刻机的一部分被放在一个保护箱中。箱身绑着一圈红丝带，正准备从其位于荷兰埃因霍温的总部发货。

“耗时十年的开创性科学和系统工程值得鞠一躬！我们很高兴也很自豪能将我们的第一台高数值孔径的极紫外光刻机交付给Intel。”ASML公司说道。

据了解，高数值孔径的极紫外光刻机组装起来比卡车还大，需要被分装在250个单独的板条箱中进行运输，其中包括13个大型集装箱。

据估计，该光刻机将从2026年或2027年起用于商业芯片制造。

公开资料显示，NA数值孔径是光刻机光学系统的重要指标，直接决定了光刻的实际分辨率，以及最高能达到的工艺节点。

一般来说，金属间距缩小到30nm以下之后，也就是对应的工艺节点超越5nm，低数值孔径光刻机的分辨率就不够了，只能使用EUV双重曝光或曝光成形(pattern shaping)技术来辅助。

这样不但会大大增加成本，还会降低良品率。因此，更高数值孔径成为必需。

ASML 9月份曾宣布，将在今年底发货第一台高数值孔径EUV光刻机，型号“Twinscan EXE:5000”，可制造2nm工艺乃至更先进的芯片。